Intel表示:未来10nm制程,能够让晶体管密度提升2.7倍之多
时间:2017-10-04 人气:...

Intel表示:未来10nm制程,能够让晶体管密度提升2.7倍之多

Intel在尖端制造大会上正式向大家展示了基于最新的10nm制程工艺,并且称基于10nm的Cannon Lake处理器将会在今年开始量产。不过现在有消息称,首批投放市场的10nm产品并不是CPU,而是目前大红大紫的NAND闪存。

有消息称,Intel计划在自家最新的64层NAND闪存上使用最新的10nm制程工艺,至于为什么率先使用10nm工艺,业界认为相比较于CPU,NAND结构相对简单,基本上就是海量同类晶体管堆积。

Intel在大会上表示,与目前所使用的工艺相比,未来的10nm制程能够让晶体管密度提升2.7倍之多。

推荐饭拍
更多推荐
© 高贝韩国女团饭拍秀   
Powered by Gaobei 5.0   粤ICP备2025389183号-3
Processed in ... second(s),... queries,Memory:...kb,Cache:On