Intel在今天在北京举办的尖端制造大会上正式公布了10nm制程以及全球首次展示了10nm的晶圆。而在接下来的技术大会上，Intel介绍了自家的10nm工艺制程，同时和友商也就是台积电以及三星的10nm工艺制程进行对比。

Intel高级院士，制程架构总监Mark T.Bohr放出了Intel的10nm工艺制程与友商三星以及台积电的对比。可以看到Intel的10nm工艺制程在鳍片间距以及栅极间距均低于三星和台积电，而最小金属间距更是大幅领先于友商，从而在最终的逻辑晶体管密度参数上面，Intel的10nm工艺制程能够达到每平方毫米1亿晶体管，而台积电为4800万，三星为5160万，也就是说Intel的10nm工艺制程晶体管密度是台积电的2倍还多。

Intel同时称未来还会有10nm+以及10nm++工艺。